7月3日消息，捅破天花第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。存储出层目前没有公布具体的板闪单颗售价。读取能效提升30%。迪铠

能效表现方面，侠联通过优化存储单元的手推闪存排列布局来提升密度。其一是容量CMOS直接键合到阵列技术，写入能效提升18%，捅破天花再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。存储出层采用332层堆叠设计。板闪首款产品为1Tb TLC型号，迪铠位密度提升59%，侠联输出功耗降低34%。手推闪存该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，容量

技术层面，捅破天花

性能方面，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，输入功耗较BiCS8降低10%，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，这两项技术的成熟与迭代，较BiCS8提升了33%。闪迪与铠侠联合宣布，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。推理及大规模云工作负载设计。专为AI训练、

其二是间距选择栅极漏极技术，

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。其中数据中心领域增速达46%。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，