7月3日消息，捅破天花专为AI训练、存储出层再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。板闪推理及大规模云工作负载设计。迪铠实现了超过29Gb/mm²的侠联业界领先存储密度。BiCS10的手推闪存NAND接口速度达到4.8Gb/s，

其二是容量间距选择栅极漏极技术，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，捅破天花为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。存储出层通过优化存储单元的板闪排列布局来提升密度。

技术层面，迪铠第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。侠联

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，手推闪存其中数据中心领域增速达46%。容量首款产品为1Tb TLC型号，捅破天花输入功耗较BiCS8降低10%，这两项技术的成熟与迭代，写入能效提升18%，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，

能效表现方面，输出功耗降低34%。目前没有公布具体的单颗售价。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、其一是CMOS直接键合到阵列技术，

性能方面，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。读取能效提升30%。采用332层堆叠设计。闪迪与铠侠联合宣布，较BiCS8提升了33%。位密度提升59%，